深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-ST
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：16 A
漏源导通电阻：9.7 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.2 V
Qg-血浆甲醛：11 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：42 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：4.85毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.95毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：34 S
下降时间：4.5 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：40 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：12 ns
典型起始延迟时间：9.7 ns
零件号别名：IRF6623TRPBF SP001526818
特征
•符合RoHS®
•无铅（符合260°C回流焊标准）
•专用MOSFET
•理想用于CPUDC-DC转换器
•低传导损耗
•高Cdv / dt免疫力
•薄型（<0.7mm）
•双面冷却兼容®
•兼容现有的表面贴装技术®
描述
IRF6623PbF将的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，从而在具有MICRO-8占位面积和仅0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。当遵循有关制造方法和工艺的应用笔记AN-1035时，DirectFET封装可与电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何兼容。 DirectFET封装允许双面冷却，以限度地提高电源系统中的热传递，将以前的热阻提高80％。
IRF6623PbF平衡了低电阻和低电荷以及超低封装电感，以减少传导和开关损耗。减少的总损耗使该产品非常适合为以较高频率工作的一代处理器供电的高效DC-DC转换器。 IRF6623PbF已针对在12伏总线转换器（包括Rds（on）和栅极电荷）进行的同步降压操作中至关重要的参数进行了优化，以地减少控制FET插座中的损耗。