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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：7.6 A，11 A
Rds漏源导通电阻：14.5 mOhms，10 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.25 V
Qg-血浆甲醛：7.5 nC，14 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.4 W，2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-应力：17 S，23 S
下降时间：3.2 ns，4.6 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：7.3 ns，10 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：10 ns，15 ns
典型初始化延迟时间：6.9 ns，7.8 ns
零件号别名：IRF7904TRPBF SP001575344
单位重量：506.600毫克
应用领域
•用于POL的双SO-8 MOSFET
笔记本电脑，服务器中的转换器
图形卡，游戏机和机顶盒
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS。 门额定值
•改进的体二极管反向恢复
•100％经过RG测试
•无铅
额定值
|
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
||
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
7.6 |
11 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.1 |
8.9 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current Q) |
61 |
89 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
1.4 |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
0.9 |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.011 |
0.016 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead CT |
20 |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ©CT |
90 |
62.5 |