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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：6.9 A
Rds上漏源导通电阻：26毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：61 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7473TRPBF SP001555418
单位重量：380毫克
应用领域
•电信和Data-Com 24和48V输入DC-DC转换器
•电机控制
•电源供应器
•无铅
好处
•超低导通电阻
•高速开关
•栅极电荷特性改善，栅极驱动电流低
•提高了雪崩强度和动态dv / dt
•完全表征的雪崩电压和电流
典型的SMPS拓扑
•全桥和半桥48V输入电路
•正向24V输入电路
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.9 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
5.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
55 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.5 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
5.8 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient © |
––– |
50 |