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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：21 A
Rds漏源导通电阻：4.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-血浆甲醛：31 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.7 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.05毫米
长度：3.3毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：3.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：52 S
下降时间：9.2 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：25 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：13 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRFHM830TRPBF SP001566782
单位重量：66毫克
应用领域
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
特征
低RDSon（<3.8m）
低热阻PCB（<3.4°C / W）
已通过100％汞测试
薄型（<1.0毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
21 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
|
|
ID @ TC(Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
40† |
|
|
ID @ TC(Bottom) = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
40† |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
160 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation … |
2.7 |
W |
|
PD @TC(Bottom) = 25°C |
Power Dissipation … |
37 |
|
|
|
Linear Derating Factor … |
0.022 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |