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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：6.6 A
Rds漏源导通电阻：30毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：700 mV
Qg-血浆甲醛：18 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：20 S
下降时间：31 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：17 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：38 ns
典型起始延迟时间：8.1 ns
零件号别名：IRF7311TRPBF SP001574720
单位重量：506.600毫克
特征
第五代技术
超低电阻
双N沟道MOSFET
表面贴装
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFE Ts采用先进的加工技术，以实现每硅面积的极低电阻。
这一优点，加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设
计人员提供一个非常高效和可靠的设备，用于各种应用程序SO-8通过定制的引线框架
进行了改进，以增强热特性和多模能力，使其在各种电源应用中成为理想选择。通过
这些改进，多功能设备可以在具有显著扩展的板空间的应用程序中使用。该封装设计
用于气相、红外或波峰焊接技术。
额定值
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
20
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 12
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
6.6
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
5.3
ID @ TC(Bottom) = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
40†
ID @ TC(Bottom) = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
40†
IDM
Pulsed Drain Current
160
PD @TA = 25°C
Power Dissipation …
2.0
W
PD @TC(Bottom) = 25°C
Power Dissipation …
1.3
Linear Derating Factor …
0.022
W/°C
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C