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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：600 mA
Rds上漏源导通电阻：2.2欧姆
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-萘甲酸：3.9 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：0.44 S
下降时间：19 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：8 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：8.8 ns
典型起始延迟时间：6.5 ns
零件号别名：IRF5801TRPBF SP001570104
单位重量：20毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
•无铅
•无卤素
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
0.6 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
0.48 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
4.8 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 30 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
9.6 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient © |
––– |
62.5 |
°C/W |