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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：36 A
Rds上漏源导通电阻：26.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：42 nC
Pd-功率耗散：92 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF540ZPBF SP001561896
单位重量：6 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
无铅
描述
该HEXFET®功率MOSFET采用了的
这些处理技术可实现每硅面积极低的导通电阻。
该设计的附加功能是175°C的结温，快速的开
关速度和提高的重复雪崩额定值。这些功能相
结合使该设计成为一种极其有效和可靠的器件，
可广泛用于各种应用中。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
36 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
25 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
140 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
92 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.61 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche EnergyG) |
83 |
mJ |
|
EAS (Tested ) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ® |
120 |
|
|
IAR |
Avalanche Current CD |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy @ |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 0 |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|