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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：21 A
Rds上漏源导通电阻：82毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：95 nC
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：17 S
下降时间：38 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：32 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF3315STRLPBF SP001563170
单位重量：4 g
特征
先进工艺技术
表面安装（RF3315S）
低剖面通孔（RF3315L）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，
以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，再加上
HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固
型器件设计，为设计师提供了一个非常高效和可靠的
设备，可在各种应用中使用D2pak是一个表面贴装电
源包，能够在任何现有的表面贴装封装中提供的
功率容量和的导通电阻，可用于尺寸高达HEX-4
的普通模具。由于其内部连接电阻低，所以2PAK适用
于大电流应用，在典型的表面安装应用中可以耗散到
2.OW通孔型（RF3315L）可用于低剖面应用。
额定值
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
21
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
15
IDM
Pulsed Drain Current G)
170
PD @TA = 25°C
Power Dissipation ®
3.5
W
PD @TC = 25°C
Power Dissipation ®
94
Linear Derating Factor
0.63
W/°C
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C