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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：21 A
漏源导通电阻：4.4 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：40 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7831TRPBF SP001563658
单位重量：540毫克
应用领域
•用于网络和计算系统的高频负载点同步降压转换器。
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
•100％经过RG测试
•无铅
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
21 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
170 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation ® |
2.5 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation ® |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ® |
––– |
50 |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy Q) |
––– |
100 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current CD |
––– |
16 |
A |
|
|
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
Conditions |
|
IS |
Continuous Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
2.5 |
A |
MOSFET symbol showing the integral reverse p-n junction diode. |
|
ISM |
Pulsed Source Current (Body Diode) CD |
––– |
––– |
170 |
||
|
VSD |
Diode Forward Voltage |
––– |
––– |
1.2 |
V |
TJ = 25°C, IS = 16A, VGS = 0V Q) |
|
trr |
Reverse Recovery Time |
––– |
42 |
62 |
ns |
TJ = 25°C, IF = 16A, VDD = 25V di/dt = 100A/μs Q) |
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
––– |
31 |
47 |
nC |
|
|
ton |
Forward Turn-On Time |
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) |
||||