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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：26 A
漏源导通电阻：25 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-萘甲酸：73 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：46 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：47 S
下降时间：29 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：19 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：11 ns
典型起始延迟时间：17 ns
零件号别名：IRFI4227PBF SP001564096
单位重量：6 g
特征
先进的工艺技术
针对PDP维持，能量回收和通道切换应用优化的关键参数
低EPULSE等级可减少PDP维持，能量回收和通行开关应用中的功耗
低QG可快速响应
高重复峰值电流能力，可确保可靠运行
下降和上升时间短，可实现快速切换
150°C的工作结温可增强坚固性
重复性雪崩能力，具有强大的可靠性
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。 等离子显示面板
中的能量回收和通过开关应用程序。 该MSFET利用的处理
技术来实现每硅面积的导通电阻低和EPULSE额定值低。 该MSFET
的其他特性是150°C的工作结温和高重复峰值电流能力。 这些特性
相结合，使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效，稳健和可靠的器件。
|
Absolute Maximum Ratings |
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|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 30 |
V |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
26 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
100 |
|
|
IRP @ TC = 100°C |
Repetitive Peak Current … |
47 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
46 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
18 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.37 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-40 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|