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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：43 A
Rds上漏源导通电阻：42毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：133.3 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP3415PBF SP001566972
单位重量：38 g
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-247封装是商业工业应用的，在商业应用中，较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与之相似，但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
43 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
30 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
150 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
200 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.3 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
590 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
22 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
20 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt a> |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 srew |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|