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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：33 A
Rds上漏源导通电阻：52毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：94 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
上升时间：39 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：44 ns
典型起始延迟时间：8.2 ns
零件号别名：IRFP140NPBF SP001575786
单位重量：38 g
特征
先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的加工技术，
实现了对每硅面积电阻的可能性。这一优点与HEXFET
功率mosfet的快速开关速度和坚固耐用的设计结合在一起，
为设计者提供了一个非常高效的设备，可用于多种应用。
在功率水平较高而不能使用220个器件的商业工业应用中，
TO-247封装是。TO-247与欧利T O-218相似，但由于
其独立安装，优于欧利T O-218。
额定值
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
33
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
23
IDM
Pulsed Drain Current †
110
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
140
W
Linear Derating Factor
0.91
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
EAS
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚†
300
mJ
IAR
Avalanche Current †
16
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy
14
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dtĠ
5.0
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)
300
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
10 lbf•in (1.1N•m)