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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：97 A
Rds漏源导通电阻：9毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：120 nC
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：230 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：140 S
下降时间：57 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：52 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFS4410ZTRLPBF SP001567800
单位重量：4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•全面表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
97 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
69 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
390 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
230 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery G) |
16 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb" in (1.1N" m) |
|