深圳市凯斯宇科技有限公司

14年

深圳市凯斯宇科技有限公司

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企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 
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  • 会员年限:14年
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IRF6216TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRF6216TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
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IRF6216TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

型号/规格:

IRF6216TRPBF

品牌/商标:

IR

封装形式:

SOP-8

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:2.2 A
Rds上漏源导通电阻:240毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:33 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF6216TRPBF SP001564802
单位重量:540毫克
应用领域

•用于有源钳位复位DC-DC转换器的复位开关
•无铅
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计(参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流
额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

-2.2

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

-1.9

IDM

Pulsed Drain Current CD

-19

PD @TA = 25°C

Power Dissipation©

2.5

W

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

7.8

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead

–––

20

 

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ©

–––

50

应用领域

•用于有源钳位复位DC-DC转换器的复位开关
•无铅
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计(参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流