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张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：55 A
Pd-功率耗散：200 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
IGBT晶体管工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极连续电流Ic：27 A
高度：20.7毫米（）
长度：15.87毫米（）
宽度：5.31毫米（）
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PC50UPBF SP001547878
单位重量：38 g
特征
•UltraFast：针对高运行进行了优化
硬切换时的频率8-40 kHz，> 200
共振模式下的kHz
•第4代IGBT设计提供更紧密的性能
参数分布和效率高于
第三代
•工业标准TO-247AC封装
•第4代IGBT可提供的效率
•IGBT针对特定应用条件进行了优化
•设计为等效的“替代”替代品
行业标准的第三代IR IGBT
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VCES |
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage |
600 |
V |
|
IC @ TC = 25°C |
Continuous Collector Current |
55 |
A |
|
IC @ TC = 100°C |
Continuous Collector Current |
27 |
|
|
ICM |
Pulsed Collector Current CD |
220 |
|
|
ILM |
Clamped Inductive Load Current ai |
220 |
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
± 20 |
V |
|
EARV |
Reverse Voltage Avalanche Energy ® |
20 |
mJ |
|
PD @ TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
200 |
W |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
78 |
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|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
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|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (0.063 in. (1.6mm from case ) |
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Mounting torque, 6-32 or M3 screw. |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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询价
