深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.2 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：52 A
Pd-功率耗散：104 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
IGBT晶体管工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极连续电流Ic：52 A
高度：20.3毫米
长度：15.9毫米
宽度：5.3毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PC50KDPBF SP001540572
单位重量：38 g

特征
短路额定电压：针对大于5.0 KHZ的高工作频率和125C短路率进行优化，VGE=15V
与第三代相比，第4代IGBT设计提供了更紧密的参数分布和更高的效率
IGBT与HEXFRED ultrafastultra soft recovery反并联二极管共封装，用于桥式确认
行业标准TO-247AC包装
无铅

优点
第4代IGBT提供效率
HEXFRED二极管优化性能，具有IGB的恢复特性，需要更少/无需点刹
设计为替代同等工业标准第3代IR IGBT

额定值放大器集电极对发射极电压Iq Tc=25°c连续集电极电流

[c 0 Tc=100°c连续集电极电流脉冲集电极电流OA箝位电感负载电流

aIFO Tc=100二极管连续正向电流25二极管正向电流短路耐受时间

门到发射极Tc=25C时的电压功耗200po Tc=100C功耗操作接头

和-55to+150储存温度和焊接温度，从外壳安装扭矩起10秒300（0.063英寸（1.6毫米），

6-32或M3 Scew10磅力+英寸（1.1 N-m电压功耗200po Tc=100C功耗操作接头