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会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-220AB-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.8 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：18 A
Pd-功率耗散：90 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
IGBT晶体管工作温度：+ 150 C
系列：RC
封装：Tube
高度：16.51毫米
长度：10.67毫米
宽度：4.83毫米
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：1000
子类别：IGBT
商标名：TRENCHSTOP
零件号别名：IRGB6B60KDPBF SP001532684
单位重量：6 g
特征
•低VCE（开）非穿通IGBT技术。
•低二极管VF。
•10μs的短路能力。
•方形RBSOA。
•超软二极管反向恢复特性。
•正VCE（on）温度系数。
•无铅
好处
•电机控制的基准效率。
•坚固的瞬态性能。
•低EMI。
•并联运行中出色的电流共享
额定值
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Parameter |
Max. |
Units |
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VCES |
Collector-to-Emitter Voltage |
600 |
V |
|
IC @ TC = 25°C |
Continuous Collector Current |
18 |
A |
|
IC @ TC = 100°C |
Continuous Collector Current |
10 |
|
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ICM |
Pulsed Collector Current |
26 |
|
|
ILM |
Clamped Inductive Load Current© |
26 |
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IF @ TC = 25°C |
Diode Continuous Forward Current |
18 |
|
|
IF @ TC = 100°C |
Diode Continuous Forward Current |
10 |
|
|
IFM |
Diode Maximum Forward Current |
26 |
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
± 20 |
V |
|
PD @ TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
90 |
w |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
36 |
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|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to +150 |
°C |
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Soldering Temperature, for 10 sec. |
300 (0.063 in. (1.6mm) from case) |
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