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在先进工艺上台积电依然一骑绝尘。

除是一家有能力量产5nm芯片的厂商之外，台积电在3nm芯片的工艺亦进展顺利，将在2021年试产，2022年开始量产。而在近日台湾经济日报放出消息，台积电在2nm工艺上实现技术突破，2023年将进行小规模试产。

如果一切顺利，台积电2nm芯片在2024年就能批量上市，这比原本预期时间早了足足一年。另外，报道还指出，台积电将在2nm芯片上尝试全新的环绕栅极晶体管技术，这项技术可以更好地控制芯片漏电问题，提升芯片使用寿命，提高良品率。

如果单看技术，三星只落后于台积电半年时间。但从市场统计来看，三星在芯片代工市场份额占比仅为台积电三分之一。

而从设备采购量来看，差距仍在放大。目前台积电正大量购买光刻机，预计在2021年底前购置55台EUV光刻机，以加快EUV相关工艺制程的发展。反观三星电子，其EUV设备累计采购量目前不到20台，据业内人士估算，三星到2021年仍不到25台。

尽管三星从未隐藏过自己的野心，三星还表示，目前已经解决了5nm芯片良品率过低问题，5nm工艺已可追上台积电。而且，三星将会在3nm工艺时率先引入环绕栅极晶体管技术，以此增强影响力。

近三星的好消息是获得了两大巨头的芯片代工订单：高通将会把所有5G芯片都将交由三星代工，使用三星5nm工艺打造的是骁龙875；英伟达将交给三星代工的是7nm芯片。

但三星的3nm追上台积电还需投入巨资与时间，2nm则更远，而环绕栅极晶体管技术谁能走得更坚实更稳定一些呢？