深圳市凯斯宇科技有限公司

今年3月，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地在山西转型综合改革示范区正式投产，批设备正式启动。基地一期项目可容纳600台碳化硅单晶生长炉，项目建成后将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力，是目前国内的碳化硅材料产业基地。这一基地的启动，将彻底打破国外对我国碳化硅封锁的局面，实现碳化硅的完全自主供应。

在基地的碳化硅生产车间，白色的长晶炉一字排开，碳化硅晶片正在里面安静生长。李斌介绍：“现在，咱们所使用的粉料合成设备、长晶炉，都是自己研发、自己生产的全国产化的设备。设备的配套产品和功能元器件能满足长期、稳定、可靠使用的要求，同时节能效果好，具有连续工作高稳定性和良好保持性。”

对于国内半导体领域来说，产业化规模效应，不仅降低了碳化硅晶片的成本，也不断促使碳化硅晶片质量提升。据李斌介绍，目前国际上碳化硅晶片的合格率是70%-80%，而原来国内实验室生产的碳化硅晶片的合格率仅有30%。但在碳化硅产业基地，这个合格率可以达到65%。

实现这样高的合格率，一个是靠先进的设备，一个是靠管理。毛开礼介绍：“我们把所有的工艺分成若干段，增加了大量的一线工人，每段每个人只干这一件事情，不仅效率会提高，而且出错率也大幅降低，因为原来一个人要参与前前后后大概有三四十道工序，不利于化，出错率就会很高。”

目前，基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，为客户提供小批量的产品试用，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。展望未来，李斌信心满满地说，“在碳化硅领域，我们要紧跟国际的脚步，因为目前我国在第三代半导体材料上跟国际的差距相对较小，我们要保证不能掉队。习近平总书记说过，技术靠化缘是要不来的。在关键领域、卡脖子的地方要下大功夫。现在我们在实现迅速研发的同时也进一步开展量产，三年内整个项目要达到18万片每年的产能。另外，我们目前在进行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我们能有8英寸的样片出来。因为晶片是整个碳化硅产业链的上游，要走到器件研究的前面。”