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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：3.2 A
Rds漏源导通电阻：200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：6.4 nC
Pd-功率耗散：1.7 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLMS1503TRPBF SP001550512
单位重量：20毫克
特征
•第五代技术
•Micro6封装样式
•超低RDS（on）
•N沟道MOSFET
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，
使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET®功率MSFET
众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员
提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
Micro6™封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®功率MSFET，
其RDS（on）比类似尺寸的SOT-23小60％。 该封装非常适合印刷
电路板空间非常宝贵的应用。 与SOT-23相比，它独特的散热设计
和RDS（on）降低使电流处理能力提高了近300％。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.2 |
A |
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ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
2.6 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
18 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
1.7 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
13 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
询价
