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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：77 A
Rds漏源导通电阻：10毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：65.3 nC
Pd-功率耗散：130 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL3705NPBF SP001578520
单位重量：6 g
特征
逻辑-电平门驱动
先进的工艺技术
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
第五代HEXFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐
用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，
可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有商业工业应用，其功耗水平约为50瓦。
TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
89… |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
63 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
310 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
170 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.1 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy ‚ |
340 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current |
46 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy |
17 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
询价
