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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：36 A
Rds上漏源导通电阻：44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-血浆甲醛：49.3 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：14 S
下降时间：62 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：81 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：39 ns
典型起始延迟时间：11 ns
零件号别名：IRL540NPBF SP001576440
单位重量：6 g
特征
无铅
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
说明
来自国际整流器的第五代HEXFETSF采用先进的加工技术，
以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上HEXFET
功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，
为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于各
种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的商业工业
应用中是普遍的。TO-220的低耐热性和低包装成本使
其在整个行业得到广泛接受。
额定值
Symbol
Maximum
Units
N-Channel
P-Channel
Drain-Source Voltage
VOS
20
-20
Gate-Source Voltage
VGS
士 12
Continuous Drain Current(i)
TA = 25°C
6.6
-5.3
A
TA = 70°C
5.3
-4.3
Pulsed Drain Current
IOM
26
-21
Continuous Source Current (Diode Conduction)
IS
2.5
-2.5
Maximum Power Dissipation (i)
TA = 25°C
2.0
w
TA = 70°C
1.3
Single Pulse Avalanche Energy
EAS
100
150
mJ
Avalanche Current
IAR
4.1
-2.9
A
Repetitive Avalanche Energy
EAR
0.20
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt 0
dv/dt
5.0
-5.0
V/ ns
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to + 150 °C
询价
