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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：150 A
Rds上漏源导通电阻：4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：32 nC
Pd-功率耗散：140 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL7833STRLPBF SP001568388
单位重量：4 g
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器，适合电信和消费者使用
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
额定值
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Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
150© |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
110© |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
600 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation (1) |
140 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation (1) |
72 |
|
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Linear Derating Factor |
0.96 |
W/°C |
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TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
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Mounting Torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
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|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case |
––– |
1.04 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ® |
0.50 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ® |
––– |
62 |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mount) (1) |
––– |
40 |
询价
