相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：195 A
Rds漏源导通电阻：2.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：300 nC
Pd-功率耗散：375 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：280 S
下降时间：189 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：182 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：118 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRFP3006PBF SP001556714
单位重量：38 g
应用领域
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
270 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V(Silicon Limited) |
190 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
1080 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
375 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery „ |
10 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbfŸin (1.1NŸm) |
|
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case ˆ |
––– |
0.4 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.24 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
40 |
询价
