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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247AC-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds上漏源导通电阻：11.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-血浆甲醛：102 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：313 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
配置：单
晶体管类型：1 N沟道
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：93 S
下降时间：62 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：66 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：55 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRF200P223 SP001582440
单位重量：6 g
应用领域
UPS和逆变器应用
半桥和全桥拓扑
谐振模式电源
DC/ DC和AC / DC转换器
ORing和冗余电源开关
有刷和BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
好处
改进了Gate，雪崩和动态dv / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dv / dt和di / dt能力
无铅 符合RoHS标准; 无卤素
额定值
|
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Values |
Unit |
|
Continuous Drain Current |
ID |
TC = 25°C, VGS @ 10V |
100 |
A |
|
Continuous Drain Current |
ID |
TC = 100°C, VGS @ 10V |
71 |
|
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
TC = 25°C |
400 |
|
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
TC = 25°C |
313 |
W |
|
Linear Derating Factor |
|
TC = 25°C |
2.1 |
W/°C |
|
Gate-to-Source Voltage |
VGS |
- |
± 20 |
V |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ TSTG |
- |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
- |
- |
300 |
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
- |
- |
10 lbf·in (1.1 N·m) |
- |
询价
