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会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：128 A
Rds上漏源导通电阻：5.8毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：110 nC
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：230 W
封装：剪切带
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：320 S
下降时间：65 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：64 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFS3307ZTRLPBF SP001565042
单位重量：4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的Gate，雪崩和动态dv / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
128G) |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
90G) |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
120 |
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IDM |
Pulsed Drain Current (?) |
512 |
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PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
230 |
W |
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Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
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VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
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dv/dt |
Peak Diode Recovery ® |
6.7 |
V/ns |
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TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
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Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
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Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbf"in (1.1N"m) |
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询价
