相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-6
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：22 A
Rds上漏源导通电阻：11.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.1 V
Qg-血浆甲醛：14 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：9.6 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.9毫米
长度：2 mm
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：2毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：36 S
下降时间：13 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：15 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：19 ns
典型起始延迟时间：5.8 ns
零件号别名：IRLHS6242TRPBF SP001573008
单位重量：10.430毫克
应用领域
用于电池的充放电开关
系统/负载开关
特征
低RDSon（≤11.7mΩ）
对PCB的低热阻（≤13°C / W）
薄型（≤1.0mm）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
20 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±12 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
10 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
8.3 |
|
|
ID @ TC(Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V CV |
22G) |
|
|
ID @ TC(Bottom) = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V CV |
18G) |
|
|
ID @ TC(Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Package Limited) |
12G) |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
88 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (1) |
1.98 |
W |
|
PD @TC(Bottom) = 25°C |
Power Dissipation (1) |
9.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor (1) |
0.016 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
询价
