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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
MOSFET封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：409 A
Rds漏源导通电阻：1.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：460 nC
Pd-功率耗散：375 W
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB7430PBF SP001551786
单位重量：6 g
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素*
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
409CD |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
289CD |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current (￡) |
1524 |
|
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PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
375 |
W |
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Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
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Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
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Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbf• in (1.1N• m) |
询价
