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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：73 A
Rds上漏源导通电阻：14毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：90 nC
Pd-功率耗散：190 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFS4610TRLPBF SP001568016
单位重量：4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
额定值
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Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
73 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
52 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ® |
290 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
190 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.3 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dV/dt |
Peak Diode Recovery ® |
7.6 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
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|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb"in (1.1N"m) |
|
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case ® |
––– |
0.77 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220 |
0.50 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient, TO-220 ® |
––– |
62 |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak 0® |
––– |
40 |
询价
