深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：1.7 A
Rds上漏源导通电阻：270毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：5.4 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.25 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：2 P通道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：1.3 S
下降时间：43 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：35 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：38 ns
典型起始延迟时间：9.1 ns
零件号别名：IRF7504TRPBF SP001551428
特征

第五代技术
超低导通电阻
双P沟道MOSFET
非常小的SOIC Paackee
低调（1。1毫米）
有磁带卷盘
快速切换

无铅

描述

国际整流器第五代六角场效应晶体管利用先进

的加工技术，使每一硅区的导通电阻极低。

他的综合收益HEXFET功率mosfet以其快速的

开关速度和坚固的器件设计而闻名，为设计者

提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于多

种应用新型Micro8封装，占地面积只有标准

SO-8的一半，提供SOIC大纲中可用的占地面积。

这使得Micro8成为印刷电路板空间适当的应用的

理想设备。低调（1。1毫米）的Micro8不适合于

极薄的应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。

额定值sparametermaxunitsib e T=25

连续漏液电流Vist ETA=70C连续漏液电流。

Vos 0-4.5脉冲漏极电流①Poet.=Z5'c功耗1.25W

线性降额系数WrcGate to source VolagePeak二极管

恢复ovid 35.0 V功能和存储温度范围-55t+150热阻

参数MaxUnitsMaximum-to-Ambient100所有微数据

表反映了改进的热阻功率和C仅对标有日期代码505或更高版本的产品有效