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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：160 A
Rds上漏源导通电阻：3.9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：39 nC
Pd-功率耗散：135 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
MOSFET工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLR8743TRPBF SP001552904
单位重量：550毫克
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器，用于电信和工业用途
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
额定值
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|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
160® |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
113® |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
640 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation @ |
135 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation @ |
68 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.90 |
W/°C |
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TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
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Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case) |
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|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case |
––– |
1.11 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mount) @ |
––– |
50 |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
110 |
询价
