相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：99 A
Rds漏源导通电阻：6.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V
Qg-血浆甲醛：33 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：143 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：31 S
下降时间：69 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：216 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：43 ns
典型起始延迟时间：45 ns
零件号别名：IRLR3636TRPBF SP001574002
单位重量：4 g
应用领域
•直流电机驱动
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•针对逻辑电平驱动进行了优化
•在4.5V VGS时具有极低的RDS（ON）
•4.5V VGS时具有出色的R * Q
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
99 G) |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
70 G) |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
50 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current <I) |
396 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
143 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.95 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±16 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery @ |
22 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case) |
询价
