深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：RF射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：双
开关配置：SPDT
工作频率：12 GHz
插入损耗：1.5 dB
关闭隔离—典型值：57 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：QFN-24
封装：切割带
系列：HMC232G
技术
商标：Analog Devices
至多时间—预期：25 ns
运行时间—平均：25 ns
高控制电压：-5 V至-7 V
射频开关MIN工作温度：-40 C
射频开关湿度敏感性：是
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
单位重量：1克

典型应用
HMC232ALP4E非常适合：
•电信基础设施
•微波无线电和甚小孔径终端
•军用无线电，雷达和ECM
•测试仪器
特征
隔离度：57 dB @ 3 GHz
  50 GHz @ 6 GHz
输入P1dB：+30 dBm
插入损耗：6 GHz时典型值为1.5 dB
无反光设计
24引线4x4mm QFN封装：16mm2
包含在HMC-DK005设计器套件中
一般说明
HMC232ALP4E是采用低成本无铅QFN表面贴装塑料封装的宽带高隔离非反射GaAs MESFET SPDT开关。
开关覆盖DC至12 GHz，在3 GHz以下时隔离度大于57dB，在12 GHz时隔离度大于45 dB。 输入P1dB压缩典型值为+30 dBm，而输入IP3为+48 dBm。 开关使用-5 / 0V的互补负控制电压逻辑线工作，不需要偏置电源。
额定值

射频输入功率（Vctl = -5V）
（0.5-12 GHz）
插入损耗路径
终止路径
+30.9 dBm的
+23.7 dBm
控制电压范围（A和B）+ 1V至-7.5V
通道温度150°C
热阻（RTH）
（通道到地面的桨）
插入损耗路径
终止路径
88.5°C / W
277°C / W
储存温度-65至+150°C
工作温度-40至+85°C
应用中使用的电路板应
由适当的射频电路设计技术生成。 RF端口的信号线应具有50 Ohm阻抗，并且封装地线和封装底部应直接连接到接地平面，类似于上面所示。
上面显示的评估电路板可应要求从Analog Devices获得。