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张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：127 A
Rds上漏源导通电阻：4.8毫欧
Qg-萘甲酸：120 nC
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：250 W
资质：AEC-Q101
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：AUIRFS4310ZTRL SP001516740
单位重量：4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，
利用的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
此设计的其他功能是175°C的结工作温度，
快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值。
这些功能相结合，使该设计成为一种非常有效且
可靠的器件，可用于汽车应用以及各种其他应用。
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
127 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
90 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
120 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
560 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
250 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.7 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ƒ |
130 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current ‚ |
See Fig.14,15, 22a, 22b |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy ‚ |
mJ |
|
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery „ |
18 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
询价