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会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.15 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：40 A
Pd-功率耗散：160 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
IGBT晶体管工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极连续电流Ic：20 A
高度：20.7毫米（）
长度：15.87毫米（）
宽度：5.31毫米（）
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PC40UDPBF SP001532594
单位重量：38 g
特性
UltrFast：优化高工作频率8-40KHZ在硬开关，>200KHZ在谐振模式
第四代IGBT设计提供了比第三代更紧凑的参数分布和更高的效率
IGBT与HEXFREDTM更快的用于桥接结构的软恢复反复线二极管
工业标准的TO-247AC封装
好处
第四代IGBT提供了的可用效率IGBT优化为特定的应用条件六边形二极管
的性能优化与IGBT的化恢复特性需要更少/没有冷却的设计，是一个
”完全代替“的等效行业标准的第三代IGBT
额定值
|
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Parameter |
Max. |
Units |
|
VCES |
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage |
600 |
V |
|
IC @ TC = 25°C |
Continuous Collector Current |
55 |
A |
|
IC @ TC = 100°C |
Continuous Collector Current |
27 |
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ICM |
Pulsed Collector Current CD |
220 |
|
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ILM |
Clamped Inductive Load Current 0 |
220 |
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
士 20 |
V |
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EARV |
Reverse Voltage Avalanche Energy ® |
170 |
mJ |
|
PD @ TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
200 |
W |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
78 |
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TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
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|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (0.063 in. (1.6mm from case ) |
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Mounting torque, 6-32 or M3 screw. |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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询价